ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT30A170D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGT30A170D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGT30A170D1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1700 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 30A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 210 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.5 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 3 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 45 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGT30A170D1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT30A170D1G | APTGT300TL60G | APTGT400U120D4G | APTGT300DA120D3G |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Three Level Inverter | Single | Single |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 45 A | 400 A | 600 A | 440 A |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 30A | 1.9V @ 15V, 300A | 2.1V @ 15V, 400A | 2.1V @ 15V, 300A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | SP6 | D4 | D-3 Module |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 3 mA | 350 µA | 8 mA | 8 mA |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.5 nF @ 25 V | 18.4 nF @ 25 V | 28 nF @ 25 V | 20 nF @ 25 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1700 V | 600 V | 1200 V | 1200 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 210 W | 935 W | 2250 W | 1250 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | SP6 | D4 | D3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT30A170D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGT30A170D1G - Microsemi Corporation
APTGT300TL60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 400A 935W SP6APTGT400U120D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 600A 2250W D4APTGT300DA120D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3APTGT35A120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 55A 205W D1APTGT400U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT30SK170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 45A 210W D1APTGT300DA60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6APTGT300DA170D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT300SK120D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3APTGT300U170D4GAPTIGBT ModuleAPTGT35X120RTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT300U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT30DA170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 45A 210W D1APTGT35SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 55A 205W D1APTGT300SK170D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT35X120BTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT30H60T1GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 90W SP1APTGT300U120D4GAPTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที