ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT35A120D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGT35A120D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGT35A120D1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 35A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 205 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.5 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 55 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGT35A120D1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT35A120D1G | APTGT400U120D4G | APTGT30SK170D1G | APTGT30H60T1G |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 55 A | 600 A | 45 A | 50 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 1700 V | 600 V |
| กทช Thermistor | No | No | No | Yes |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.5 nF @ 25 V | 28 nF @ 25 V | 2.5 nF @ 25 V | 1.6 nF @ 25 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | D4 | D1 | SP1 |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 35A | 2.1V @ 15V, 400A | 2.4V @ 15V, 30A | 1.9V @ 15V, 30A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | 8 mA | 3 mA | 250 µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | D4 | D1 | SP1 |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Single | Single | Full Bridge Inverter |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 205 W | 2250 W | 210 W | 90 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT35A120D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGT35A120D1G - Microsemi Corporation
APTGT40X170RTP3APTIGBT ModuleAPTGT40X170BTP3APTIGBT ModuleAPTGT35X120BTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT400U120D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 600A 2250W D4APTGT30SK170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 45A 210W D1APTGT30H60T1GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 90W SP1APTGT300U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT300TL60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 400A 935W SP6APTGT400U170D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 800A 2080W D4APTGT35SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 55A 205W D1APTGT35X120RTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT300SK170D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT450A600APTIGBT ModuleAPTGT300U170D4GAPTIGBT ModuleAPTGT400U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT30A170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 45A 210W D1APTGT300U120D4GAPTIGBT ModuleAPTGT30DA170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 45A 210W D1| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที