ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT35SK120D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGT35SK120D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGT35SK120D1G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microsemi | |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 35A | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
ชุด | - | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 205 W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
กทช Thermistor | No | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.5 nF @ 25 V | |
อินพุต | Standard | |
ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 55 A | |
องค์ประกอบ | Single |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGT35SK120D1G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT35SK120D1G | APTGT30DA170D1G | APTGT30SK170D1G | APTGT30A170D1G |
ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 205 W | 210 W | 210 W | 210 W |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | D1 | D1 | D1 |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 35A | 2.4V @ 15V, 30A | 2.4V @ 15V, 30A | 2.4V @ 15V, 30A |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 55 A | 45 A | 45 A | 45 A |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - |
อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Half Bridge |
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.5 nF @ 25 V | 2.5 nF @ 25 V | 2.5 nF @ 25 V | 2.5 nF @ 25 V |
กทช Thermistor | No | No | No | No |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | D1 | D1 | D1 |
ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ชุด | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1700 V | 1700 V | 1700 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT35SK120D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGT35SK120D1G - Microsemi Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที