ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT75A170D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGT75A170D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGT75A170D1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1700 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 75A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 520 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 6.5 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGT75A170D1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT75A170D1G | APTGT75A120D1G | APTGT50SK170T1G | APTGT600U120D4G |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 520 W | 357 W | 312 W | 2500 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | D1 | SP1 | D4 |
| กทช Thermistor | No | No | Yes | No |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | 4 mA | 250 µA | 5 mA |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Single | Single |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | D1 | SP1 | D4 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 75A | 2.1V @ 15V, 75A | 2.4V @ 15V, 50A | 2.1V @ 15V, 600A |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 6.5 nF @ 25 V | 5.345 nF @ 25 V | 4.4 nF @ 25 V | 40 nF @ 25 V |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1700 V | 1200 V | 1700 V | 1200 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | 110 A | 75 A | 900 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT75A170D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGT75A170D1G - Microsemi Corporation
APTGT75X120TE3GAPTIGBT ModuleAPTGT75A120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 110A 357W D1APTGT50SK170T1GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1APTGT50X120RTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT600U120D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 900A 2500W D4APTGT50X120BTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT75X120BTP3GAPTIGBT ModuleAPTGT50X60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP3APTGT750U60D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 1000A 2300W D4APTGT600U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT600U170D4GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4APTGU140A60TAPTIGBT ModuleAPTGT75DA170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 120A 520W D1APTGT75X120RTP3APTIGBT ModuleAPTGT75SK120TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4APTGT75SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 110A 357W D1APTGT75X60P2GAPTIGBT ModuleAPTGT75X120E3GAPTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที