Name: Microsemi Corporation APTGT75SK120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT75SK120D1G

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Microsemi
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	1200 V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.1V @ 15V, 75A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D1
ชุด	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์	357 W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	D1
บรรจุุภัณฑ์	Bulk
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
กทช Thermistor	No
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE	5.345 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)	4 mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	110 A
องค์ประกอบ	Single

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	APTGT75SK120D1G	APTGT75A170D1G	APTGT750U60D4G	APTGT600U120D4G
ผู้ผลิต	Microsemi Corporation	Microsemi Corporation	Microchip Technology	Microchip Technology
ประเภท IGBT	Trench Field Stop	Trench Field Stop	Trench Field Stop	Trench Field Stop
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	110 A	120 A	1000 A	900 A
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	1200 V	1700 V	600 V	1200 V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.1V @ 15V, 75A	2.4V @ 15V, 75A	1.9V @ 15V, 800A	2.1V @ 15V, 600A
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor	No	No	No	No
ชุด	-	-	-	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์	357 W	520 W	2300 W	2500 W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	D1	D1	D4	D4
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE	5.345 nF @ 25 V	6.5 nF @ 25 V	49 nF @ 25 V	40 nF @ 25 V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D1	D1	D4	D4
บรรจุุภัณฑ์	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
องค์ประกอบ	Single	Half Bridge	Single	Single
อินพุต	Standard	Standard	Standard	Standard
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)	4 mA	5 mA	1 mA	5 mA
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

APTGT75SK120D1G - Microsemi Corporation

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

APTGT75SK120D1G Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค