ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี QH08TZ600
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - QH08TZ600 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - QH08TZ600
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.15 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Qspeed™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 11.1 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations QH08TZ600
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | QH08TZ600 | QH05TZ600 | MDO600-16N1 | 1N2056R |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Power Integrations | IXYS | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Box | Box |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | - | -65°C ~ 190°C |
| ชุด | Qspeed™ | Qspeed™ | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.15 V @ 8 A | 3.1 V @ 5 A | 1.3 V @ 1200 A | 1.3 V @ 300 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 11.1 ns | 10 ns | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | 250 µA @ 600 V | 30 mA @ 1600 V | 75 µA @ 150 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz | 17pF @ 10V, 1MHz | 762pF @ 400V, 1MHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | Module | DO-9 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | Module | DO-205AB, DO-9, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1600 V | 150 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 5A | 608A | 275A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล QH08TZ600 PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ QH08TZ600 - Power Integrations
QH05TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACMDO600-16N1IXYSDIODE GEN PURP 1.6KV 608A MODULE1N2056RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 275A DO9
BAT54LP-7BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN
QH0P ESIntel
1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
SS36-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
S4PJHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
BYG22D-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
MURS360BT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMBQH03TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO220AC
QH05BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO263ABQH08BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
DFLR1600Q-7Diodes IncorporatedDIODE GP 600V 1A POWERDI123DSA35-16AIXYSDIODE AVAL 1.6KV 49A DO203AB
MUR220GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A AXIALQH03BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB
MBRS340T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที