ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ25M
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SURGE - GBJ25M คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SURGE - GBJ25M
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | SURGE | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 12.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ(5S) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.5 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SURGE GBJ25M
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ25M | GBJ25J | GBJ2510-F | GBJ25M |
| ผู้ผลิต | SURGE | GeneSiC Semiconductor | Diodes Incorporated | GeneSiC Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ(5S) | GBJ | GBJ | GBJ |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Bulk | Tube | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 600 V | 1 kV | 1 kV |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.5 A | 25 A | 25 A | 25 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ25M PDF และเอกสาร SURGE สำหรับ GBJ25M - SURGE
GBJ25JGeneSiC Semiconductor600V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
GBJ25ALITEONGBJ25V10LITEONGBJ2510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ25MGeneSiC Semiconductor1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGGBJ25JLLITEON
GBJ3510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A GBJ
GBJ3510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBJ
GBJ3508HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
GBJ406SEPGBJ25L06Diodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJ TUBGBJ3508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ
GBJ3510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A 6KBJ
GBJ25KGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOSGBJ25JSURGE25A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ3508Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A 6KBJGBJ2510FLITEONGBJ25KGeneSiC Semiconductor800V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที