ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4148
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SMC Diode Solutions - 1N4148 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SMC Diode Solutions - 1N4148
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N414 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SMC Diode Solutions 1N4148
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4148 | 1N4148 | 1N4137 | 1N4138R |
| ผู้ผลิต | SMC Diode Solutions | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | 150mA | 70A | 70A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 75 V | 400 V | 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bag | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N414 | 1N414 | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 10 mA | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 25 µA @ 400 V | 25 µA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4148 PDF และเอกสาร SMC Diode Solutions สำหรับ 1N4148 - SMC Diode Solutions
1N4138AMicrosemiIGBT Module1N4137RMicrosemiIGBT Module1N4148NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4148 LL34STMicroelectronics1N4137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 70A DO51N4138RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5
1N4148Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI1N4148Good-Ark SemiconductorDIODE, SWITCHING, 150MA, 75V, DO
1N4148 1N4148W-E3-08Electro-Films (EFI) / Vishay
1N4148Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4138Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 70A DO5
1N413BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO8
1N4148onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4148 B/PSTMicroelectronics1N413BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA
1N4147WDiodes Incorporated1N4148Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
1N4148Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที