ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N413B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N413B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N413B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N413B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N413B | 1N4148 | 1N4136 | 1N4137 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Micro Commercial Co | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-35 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1 V @ 10 mA | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 75 V | 200 V | 400 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 150mA | 70A | 70A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 200 V | 5 µA @ 75 V | 25 µA @ 200 V | 25 µA @ 400 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N413B PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N413B - Microchip Technology
1N4148Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4136Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 70A DO51N4137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 70A DO5
1N4148Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI
1N4148SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
1N4137RMicrosemiIGBT Module1N4138Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 70A DO5
1N4148onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4136RMicrosemiIGBT Module1N4138RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 70A DO51N4148NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N412BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
1N413BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO81N4148Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
1N4148Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4147WDiodes Incorporated1N4138AMicrosemiIGBT Module1N412BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO8| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที