ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3297
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3297 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3297
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3297
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3297 | 1N3297AR | 1N3296AR | 1N3296A |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1400 V | 1400 V | 1200 V | 1200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1400 V | 7 mA @ 1400 V | 50 µA @ 1200 V | 9 mA @ 1200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 150A | 100A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.1 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
1N3297ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA
1N3296RBMicrosemiIGBT Module
1N3298ARGeneral Semiconductor (Vishay)IGBT Module1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3305Solid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3296AGeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3298AMicrosemiIGBT Module1N3299AMicrosemiIGBT Module1N3297Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296RASolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO8
1N3297ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3299MicrosemiIGBT Module1N3297ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที