ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3296AR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3296AR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3296AR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 9 mA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3296AR |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3296AR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3296AR | 1N3295 | 1N3296A | 1N3297 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 1000 V | 1200 V | 1400 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3296AR | - | 1N3296 | 1N3297 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1000 V | 9 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3296AR PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3296AR - GeneSiC Semiconductor
1N3295Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 100A DO81N3296AGeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3297Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3296APowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3297ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3297Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO81N3297ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO81N3296RASolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3295Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที