ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5822
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5822 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5822
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation 1N5822
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5822 | 1N5822 | 1N5822 | 1N5821RL |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | STMicroelectronics |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 100 µA @ 40 V | 2 mA @ 30 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-201AD | B, Axial | DO-201AD |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz | 190pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ชุด | - | - | Military, MIL-PRF-19500/620 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 40 V | 30 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | B, Axial | DO-201AD, Axial |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 | - | 1N5822 | 1N58 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bag | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5822 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ 1N5822 - Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
1N5822(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822 A0Taiwan Semiconductor
1N5822Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822(1.0MM)MIC1N5822 SMATOS
1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5822 SS34TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 40V 3A1N5822 SS24TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N5822onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822-BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822(SS34)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822 K34TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที