ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5822
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N5822 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N5822
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N5822
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5822 | 1N5822 | 1N5822 | 1N5822 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | NTE Electronics, Inc | STMicroelectronics |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 200pF @ 4V, 1MHz | 190pF @ 4V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 2 mA @ 40 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bag | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
1N5822 SS34TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822 SS24TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 40V 3A1N5822(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N5822 A0Taiwan Semiconductor
1N5821GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL
1N5822-BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822(SS34)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5822(1.0MM)MIC
1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821RLonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL
1N5822onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที