ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HERF1008G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - HERF1008G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - HERF1008G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 10 A | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ITO-220AB | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 80 ns | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HERF1008 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation HERF1008G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | HERF1008G | HERF1005G | HERF1607G | HERAF1005G |
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-2 Full Pack |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ITO-220AB | ITO-220AB | ITO-220AB | ITO-220AC |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 10A | 16A | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 10 A | 1.3 V @ 10 A | 1.7 V @ 8 A | 1.3 V @ 10 A |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HERF1008 | HERF1005 | HERF1607 | - |
ชุด | - | - | - | - |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 80 ns | 50 ns | 80 ns | 50 ns |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 400 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HERF1008G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ HERF1008G - Taiwan Semiconductor Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที