ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4002G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4002G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4002G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4002G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4002G | 1N4002 | 1N4002G-T | 1N4002 |
| ผู้ผลิต | onsemi | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | NTE Electronics, Inc |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 15pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-41 | DO-41 | DO-41 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4002 | 1N400 | 1N4002 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4002G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4002G - onsemi
1N4002SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003HV Components AssociatesDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4002-M2TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4002GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002 M2TOSHIBA/BIOCARE
1N4002GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
1N4002-E3/54Vishay
1N4003Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002 DO-411N4002-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4003onsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL1N4002GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4002WRectron USADIODE GEN 1A 100V SOD-123F| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที