ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4003
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SMC Diode Solutions - 1N4003 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SMC Diode Solutions - 1N4003
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N400 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SMC Diode Solutions 1N4003
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4003 | 1N4003 | 1N4003G | 1N4002G |
| ผู้ผลิต | SMC Diode Solutions | NTE Electronics, Inc | onsemi | SMC Diode Solutions |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Bag | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | Axial | DO-41 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 8pF @ 4V, 1MHz |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N400 | - | 1N4003 | 1N400 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4003 PDF และเอกสาร SMC Diode Solutions สำหรับ 1N4003 - SMC Diode Solutions
1N4003NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003GonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N4002GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003HV Components AssociatesDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4002G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003-RCA-3Rectron USA
1N4003Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4003Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003onsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002WRectron USADIODE GEN 1A 100V SOD-123F1N4002GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4002GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
1N4002GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
1N4003GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL1N4002-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที