ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4002W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rectron USA - 1N4002W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rectron USA - 1N4002W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Rectron USA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123F | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทไดโอด | Standard | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rectron USA 1N4002W
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4002W | 1N4003G | 1N4003 | 1N4003 |
| ผู้ผลิต | Rectron USA | onsemi | onsemi | HV Components Associates |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123F | Axial | DO-41 | DO-41 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ประเภทไดโอด | Standard | - | - | - |
1N4003GonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N4003onsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003HV Components AssociatesDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4002G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4002GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
1N4002GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4002 M2TOSHIBA/BIOCARE1N4002RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
1N4003Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4003SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL1N4003NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4003-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที