ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4002-T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - 1N4002-T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - 1N4002-T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated 1N4002-T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4002-T | 1N4002 | 1N4002G-T | 1N4002W |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Rectron USA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | SOD-123F |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4002 | 1N400 | 1N4002 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO-41 | SOD-123F |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4002-T PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ 1N4002-T - Diodes Incorporated
1N4002SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4002 M2TOSHIBA/BIOCARE1N4002WRectron USADIODE GEN 1A 100V SOD-123F1N4003HV Components AssociatesDIODE GEN PURP 200V 1A DO411N4002NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 1A DO41
1N4002GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL1N4002RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
1N4002GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4002-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL1N4002Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 100V 1A1N4002GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 1A DO41
1N4002-E3/54Vishay1N4002GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
1N4002-M2TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4002 DO-41
1N4002Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 1A DO411N4003SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 1A DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที