ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG11N120CN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG11N120CN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG11N120CN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 11A | |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/180ns | |
| การสลับพลังงาน | 400µJ (on), 1.3mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 298 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 100 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 43 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG11N120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG11N120CN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG11N120CN | HGTD8P50G1 | HGTG10N120BND | HGTD3N60C3S |
| ผู้ผลิต | onsemi | Harris Corporation | onsemi | Harris Corporation |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG11N120 | - | HGTG10N120 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 500 V | 1200 V | 600 V |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | - | 960V, 10A, 10Ohm, 15V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 100 nC | 30 nC | 100 nC | 13.8 nC |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 11A | 3.7V @ 15V, 8A | 2.7V @ 15V, 10A | 2V @ 15V, 3A |
| การสลับพลังงาน | 400µJ (on), 1.3mJ (off) | - | 850µJ (on), 800µJ (off) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/180ns | - | 23ns/165ns | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 298 W | 66 W | 298 W | 33 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 43 A | 12 A | 35 A | 6 A |
| ประเภท IGBT | NPT | - | NPT | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | 18 A | 80 A | 24 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | I-PAK | TO-247-3 | TO-252, (D-Pak) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG11N120CN PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG11N120CN - onsemi
HGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG18N120BNDonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG18N120BNonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG12N60B3DITSHGTG18N120Fairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที