ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG7N60A4
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG7N60A4 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG7N60A4
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 7A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 11ns/100ns | |
| การสลับพลังงาน | 55µJ (on), 60µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 125 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 37 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 56 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 34 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG7N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG7N60A4
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG7N60A4 | HGTP12N60A4 | HGTG40N60C3 | HGTG5N120BND |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG7N60 | HGTP12N60 | - | HGTG5N120 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 56 A | 96 A | 300 A | 40 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 37 nC | 78 nC | 395 nC | 53 nC |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| ประเภท IGBT | - | - | - | NPT |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 34 A | 54 A | 75 A | 21 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 11ns/100ns | 17ns/96ns | 47ns/185ns | 22ns/160ns |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| การสลับพลังงาน | 55µJ (on), 60µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 850mJ (on), 1mJ (off) | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 125 W | 167 W | 291 W | 167 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-247 | TO-247-3 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 12A | 1.8V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 5A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG7N60A4 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG7N60A4 - onsemi
HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220ABHGTG30N60D1DHIR
HGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT ModuleHGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTG5N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 21A TO247-3HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTP11N120CNDFairchild (onsemi)HGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTP11N120CNFairchild (onsemi)HGTP10N120BNonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO220ABHGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที