ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG40N60B3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGTG40N60B3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGTG40N60B3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 40A | |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 47ns/170ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 800µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 250 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 330 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGTG40N60B3
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG40N60B3 | HGTG30N60C3 | HGTG30N60C3D | HGTG40N60B3 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Harris Corporation | onsemi | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-274AA | TO-247-3 | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 40A | 1.8V @ 15V, 30A | 1.8V @ 15V, 30A | 2V @ 15V, 40A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | SUPER-247 (TO-274AA) | TO-247-3 | TO-247-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | 63 A | 63 A | 70 A |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 330 A | 252 A | 252 A | 330 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | 208 W | 208 W | 290 W |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 47ns/170ns | 40ns/320ns | - | 47ns/170ns |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | - | 480V, 40A, 3Ohm, 15V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 250 nC | 250 nC | 162 nC | 250 nC |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 800µJ (off) | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 1.05mJ (on), 800µJ (off) |
HGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3
HGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT ModuleHGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3
HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP11N120CNFairchild (onsemi)HGTG30N60D1DHIRHGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTG7N60A4onsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)
HGTP10N120BNonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO220ABHGTG5N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 21A TO247-3HGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที