ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG40N60B3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG40N60B3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG40N60B3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 40A | |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 47ns/170ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 800µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 250 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 330 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG40N60B3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG40N60B3 | HGTG40N60A4 | HGTG40N60B3 | HGTG40N60A4 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 47ns/170ns | 25ns/145ns | 47ns/170ns | 25ns/145ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 250 nC | 350 nC | 250 nC | 350 nC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 40A | 2V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 40A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | 625 W | 290 W | 625 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG40 | HGTG40 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 330 A | 300 A | 330 A | 300 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 | TO-247 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | 75 A | 70 A | 75 A |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 800µJ (off) | 400µJ (on), 370µJ (off) | 1.05mJ (on), 800µJ (off) | 400µJ (on), 370µJ (off) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG40N60B3 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG40N60B3 - onsemi
HGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTP11N120CNDFairchild (onsemi)HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3
HGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT ModuleHGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGTP10N120BNonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO220ABHGTG30N60D1DHIRHGTG5N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 21A TO247-3HGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG7N60A4onsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTP11N120CNFairchild (onsemi)HGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที