ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG40N60C3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGTG40N60C3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGTG40N60C3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 40A | |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 47ns/185ns | |
| การสลับพลังงาน | 850mJ (on), 1mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 291 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 395 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGTG40N60C3
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG40N60C3 | HGTG40N60A4 | HGTP12N60A4 | HGTG7N60A4D |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 7A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-247-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 47ns/185ns | 25ns/145ns | 17ns/96ns | 11ns/100ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | 300 A | 96 A | 56 A |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 395 nC | 350 nC | 78 nC | 37 nC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 291 W | 625 W | 167 W | 125 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 75 A | 54 A | 34 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 850mJ (on), 1mJ (off) | 400µJ (on), 370µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247 | TO-220-3 | TO-247-3 |
HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTP11N120CNDFairchild (onsemi)HGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG7N60A4onsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTG30N60D1DHIRHGTG5N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 21A TO247-3HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTP11N120CNFairchild (onsemi)
HGTP10N120BNonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO220ABHGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที