ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5830
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N5830 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N5830
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 25 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5830 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N5830
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5830 | 1N5831 | 1N5828 | 1N5831 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | 480 mV @ 25 A | 870 mV @ 40 A | 580 mV @ 25 A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 1650pF @ 5V, 1MHz | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | 3 mA @ 40 V | 10 mA @ 20 V | 2 mA @ 20 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | 25A | 15A | 25A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 25 V | 40 V | 40 V | 35 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5830 | - | - | 1N5831 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5830 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N5830 - GeneSiC Semiconductor
1N5831Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO41N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO41N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO4
1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA1N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N5832Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที