ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5829
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N5829 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N5829
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5829 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N5829
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5829 | 1N5830 | 1N5826 | 1N5831 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | DO-5 | DO-4 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 25 V | 20 V | 40 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5829 | 1N5830 | 1N5826 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 580 mV @ 25 A | 580 mV @ 25 A | 440 mV @ 15 A | 480 mV @ 25 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | 25A | 15A | 25A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 1650pF @ 5V, 1MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 20 V | 10 mA @ 20 V | 3 mA @ 40 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5829 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N5829 - GeneSiC Semiconductor
1N5830GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 25V 25A DO41N5826GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 15A DO51N5831Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
1N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER
1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5827Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO41N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5826Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO41N5826Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA1N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที