ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5831
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5831 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5831
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 480 mV @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1650pF @ 5V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5831
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5831 | 1N5833 | 1N5830 | 1N5830 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 40 V | 20 mA @ 30 V | 2 mA @ 20 V | 3 mA @ 30 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | 40A | 25A | 25A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 480 mV @ 25 A | 550 mV @ 40 A | 580 mV @ 25 A | 460 mV @ 25 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 30 V | 25 V | 30 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-5 (DO-203AB) | DO-4 | DO-203AA (DO-4) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1650pF @ 5V, 1MHz | - | - | 1650pF @ 5V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5831 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5831 - Solid State Inc.
1N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5830GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 25V 25A DO41N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5832Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5833GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO41N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที