ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT12040
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT12040 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT12040
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 60A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT12040
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT12040 | MBRT20030 | MBRT20080 | MBRT200200 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 60A | 100A | 100A | 100A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 30 V | 80 V | 200 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 60 A | 750 mV @ 100 A | 880 mV @ 100 A | 920 mV @ 100 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT12040 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT12040 - GeneSiC Semiconductor
MBRT20030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 100A 3TOWERMBRT20080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 100A 3TOWER
MBRS540T3onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMCMBRT12090IXFNIGBT ModuleMBRT200200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWERMBRS4201T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 200V 4A SMCMBRT12080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 60A 3TOWERMBRT121200IXFNIGBT Module
MBRS560T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRS540ONsemiMBRS520T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRT200150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWERMBRT200100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 100A 3TOWERMBRT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 100A 3TOWERMBRS540T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
MBRS6040CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263ABMBRS6040CT-02 RNTaiwan SemiconductorMBRS540CGFIRST| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที