ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT200150
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT200150 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT200150
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT200150
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT200150 | MBRT20020 | MBRT12080 | MBRT20080 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 100A | 60A | 100A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 150 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 100 A | 750 mV @ 100 A | 880 mV @ 60 A | 880 mV @ 100 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 20 V | 80 V | 80 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT200150 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT200150 - GeneSiC Semiconductor
MBRS560T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 100A 3TOWER
MBRS6040CT-02 RNTaiwan SemiconductorMBRT12080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 60A 3TOWERMBRT20080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 100A 3TOWERMBRT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 3TOWERMBRS6040CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263ABMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWERMBRT200100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 100A 3TOWERMBRT12040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 60A 3TOWERMBRT20030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 100A 3TOWERMBRT300100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 3TOWERMBRT121200IXFNIGBT Module
MBRS540T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMCMBRT30030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 3TOWERMBRT300150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWERMBRT200200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWERMBRT12090IXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที