ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT200100
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT200100 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT200100
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT200100
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT200100 | MBRT200150 | MBRT20030 | MBRT300150 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 100 A | 880 mV @ 100 A | 750 mV @ 100 A | 880 mV @ 150 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 150 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 150 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 100A | 100A | 150A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 150 V | 30 V | 150 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT200100 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT200100 - GeneSiC Semiconductor
MBRT12090IXFNIGBT ModuleMBRT200150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWERMBRT20030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 100A 3TOWERMBRT121200IXFNIGBT ModuleMBRT300150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
MBRS540T3onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMCMBRT20080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 100A 3TOWER
MBRS6040CT-02 RNTaiwan SemiconductorMBRT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 3TOWERMBRS540T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMCMBRT12080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 60A 3TOWERMBRS6040CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263ABMBRT12040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 60A 3TOWERMBRT300100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 3TOWERMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWERMBRT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 100A 3TOWER
MBRS560T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRT200200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที