ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRT20020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBRT20020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBRT20020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBRT20020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRT20020 | MBRT20080 | MBRT200100 | MBRT300150 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 100A | 100A | 150A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 100 A | 880 mV @ 100 A | 880 mV @ 100 A | 880 mV @ 150 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 150 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 80 V | 100 V | 150 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRT20020 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBRT20020 - GeneSiC Semiconductor
MBRT20080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 100A 3TOWERMBRT200100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 100A 3TOWERMBRT300150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWERMBRT200150GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
MBRS560T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRT20030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 100A 3TOWERMBRT30030GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 3TOWERMBRT200200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWERMBRT12080GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 60A 3TOWERMBRT30035GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 150A 3TOWER
MBRS6040CT-02 RNTaiwan SemiconductorMBRT121200IXFNIGBT ModuleMBRT12090IXFNIGBT ModuleMBRT300100GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 3TOWERMBRT12040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 60A 3TOWERMBRT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 3TOWERMBRS6040CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 60A TO263ABMBRT300200GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที