ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTD7N60C3S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGTD7N60C3S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGTD7N60C3S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 7A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 60 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 23 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 56 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 14 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGTD7N60C3S
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTD7N60C3S | HGTD7N60C3S9A | HGTG12N60A4 | HGT1S7N60B3DS |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 60 W | 60 W | 167 W | 60 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | - | 17ns/96ns | 26ns/130ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 14 A | 14 A | 54 A | 14 A |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 56 A | 56 A | 96 A | 56 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | TO-247 | TO-263AB |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | 37 ns |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| การสลับพลังงาน | - | 165µJ (on), 600µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.1V @ 15V, 7A |
| ทดสอบสภาพ | - | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 23 nC | 23 nC | 78 nC | 30 nC |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S7N60B3DSHarris Corporation14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263ABHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATED| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที