ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG11N120CN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - HGTG11N120CN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - HGTG11N120CN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 11A | |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/180ns | |
| การสลับพลังงาน | 400µJ (on), 1.3mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 298 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 100 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 43 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor HGTG11N120CN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG11N120CN | HGTG12N60A4D | HGTG18N120BN | HGTG11N120CND |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 1200 V | 1200 V |
| การสลับพลังงาน | 400µJ (on), 1.3mJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 800µJ (on), 1.8mJ (off) | 950µJ (on), 1.3mJ (off) |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | 960V, 11A, 10Ohm, 15V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ประเภท IGBT | NPT | - | NPT | NPT |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 11A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 18A | 2.4V @ 15V, 11A |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 100 nC | 78 nC | 165 nC | 100 nC |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/180ns | 17ns/96ns | 23ns/170ns | 23ns/180ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 298 W | 167 W | 390 W | 298 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 43 A | 54 A | 54 A | 43 A |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | 96 A | 165 A | 80 A |
HGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBTHGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
HGTD6N50E1Intersil (Renesas Electronics Corporation)HGTG18N120Fairchild (onsemi)
HGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGTG12N60B3DITSHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTD1N120BNS 1N120BFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที