ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTA80N10T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTA80N10T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTA80N10T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AA | |
ชุด | Trench | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 25A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 230W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3040 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTA80 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTA80N10T
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTA80N10T | IXTA86N20T | IXTA96P085T | IXTA60N20T |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | 86A (Tc) | 96A (Tc) | 60A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | Trench | Trench | TrenchP™ | Trench |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±15V | ±20V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 73 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3040 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 13100 pF @ 25 V | 4530 pF @ 25 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AA | TO-263AA | TO-263AA | TO-263AA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTA80 | IXTA86 | IXTA96 | IXTA60 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | 5V @ 1mA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 200 V | 85 V | 200 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 230W (Tc) | 480W (Tc) | 298W (Tc) | 500W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 25A, 10V | 29mOhm @ 500mA, 10V | 13mOhm @ 48A, 10V | 40mOhm @ 30A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTA80N10T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTA80N10T - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที