ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTC75N10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTC75N10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTC75N10
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS220™ | |
ชุด | MegaMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 37.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 230W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOPLUS220™ | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 72A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTC75 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTC75N10
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTC75N10 | IXTE250N10 | IXTH102N15T | IXTH10N100D2 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 37.5A, 10V | - | 18mOhm @ 500mA, 10V | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 150 V | 1000 V |
ชุด | MegaMOS™ | - | Trench | Depletion |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOPLUS220™ | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | TO-247-3 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS220™ | SOT-227B | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | 5V @ 1mA | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4500 pF @ 25 V | - | 5220 pF @ 25 V | 5320 pF @ 25 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTC75 | IXTE250 | IXTH102 | IXTH10 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 72A (Tc) | 250A | 102A (Tc) | 10A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | Depletion Mode |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 230W (Tc) | 730W | 455W (Tc) | 695W (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | - | 87 nC @ 10 V | 200 nC @ 5 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTC75N10 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTC75N10 - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที