ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTF200N10T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTF200N10T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTF200N10T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
ชุด | Trench | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 50A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 156W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 9400 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 152 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTF200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTF200N10T
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
|
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTF200N10T | IXTC13N50 | IXTA96P085T | IXTC75N10 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 9400 pF @ 25 V | 2800 pF @ 25 V | 13100 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | ISOPLUS220™ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ISOPLUS220™ |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±15V | ±20V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 156W (Tc) | 140W (Tc) | 298W (Tc) | 230W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 50A, 10V | 400mOhm @ 6.5A, 10V | 13mOhm @ 48A, 10V | 20mOhm @ 37.5A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 500 V | 85 V | 100 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS220™ | TO-263AA | ISOPLUS220™ |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 152 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | Trench | - | TrenchP™ | MegaMOS™ |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Tc) | 12A (Tc) | 96A (Tc) | 72A (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTF200 | IXTC13 | IXTA96 | IXTC75 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTF200N10T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTF200N10T - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที