ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTE250N10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTE250N10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTE250N10
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 730W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 250A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTE250 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTE250N10
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTE250N10 | IXTH110N25T | IXTH102N20T | IXTH04N300P3HV |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 24mOhm @ 55A, 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 190Ohm @ 200mA, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 4.5V @ 1mA | 4.5V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 Variant |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 730W | 694W (Tc) | 750W (Tc) | 104W (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | Trench | Trench | Polar P3™ |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 250 V | 200 V | 3000 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTE250 | IXTH110 | IXTH102 | IXTH04 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 250A | 110A (Tc) | 102A (Tc) | 400mA (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247HV |
IXTH110N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 110A TO247IXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247IXTH04N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HVIXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXTA80N12IXYS / Littelfuse
IXTA86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO263IXTB30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264IXTA80N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO263IXTH10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO247IXTH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247IXTH10P60IXYSMOSFET P-CH 600V 10A TO247IXTA7N80IXYS / LittelfuseIXTB62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A PLUS264IXTF200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 90A I4PACIXTA96P085TIXYSMOSFET P-CH 85V 96A TO263IXTH110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO247
IXTC13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220IXTC75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที