ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN10NS3STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN10NS3STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN10NS3STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | LPDS | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 350 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN10NS3STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN10NS3STL | RFN1L6STE25 | RFN1LAM6STR | RFN10BM3STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 350 V | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 350 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | LPDS | PMDS | PMDTM | TO-252 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 800mA | 800mA | 10A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-214AC, SMA | SOD-128 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 35 ns | 35 ns | 30 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN10 | RFN1L6 | RFN1LAM6 | RFN10 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | 1.45 V @ 800 mA | 1.45 V @ 800 mA | 1.5 V @ 10 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | 600 V | 600 V | 350 V |
RFN1L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
RFN1L6SLAPIS TechnologyRFN1LAM6STRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTMRFN10BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 10A TO252RFN12TJ6SROHM1RFN1L6S-TE25LAPIS TechnologyRFN1L7SFJ-TE25LAPIS TechnologyRFN1L6SFJLAPIS TechnologyRFN10B3S TLLAPIS TechnologyRFN10TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFMRFN10T2D FF67LAPIS TechnologyRFN10B3SLAPIS TechnologyRFN1LAM6SLAPIS TechnologyRFN10BP3SLAPIS TechnologyRFN1L7S-TE25LAPIS TechnologyRFN10T2DRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FNRFN10NS3SLAPIS TechnologyRFN1L7SLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที