ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN10TF6S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN10TF6S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN10TF6S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220NFM | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN10TF6S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN10TF6S | RFN1LAM6STR | RFN10BM3STL | RFN1L6STE25 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 350 V | 1 µA @ 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN10 | RFN1LAM6 | RFN10 | RFN1L6 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 350 V | 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 35 ns | 30 ns | 35 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 10 A | 1.45 V @ 800 mA | 1.5 V @ 10 A | 1.45 V @ 800 mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220NFM | PMDTM | TO-252 | PMDS |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | SOD-128 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AC, SMA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 800mA | 10A | 800mA |
RFN1LAM6STRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
RFN1LAM6SLAPIS TechnologyRFN10BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 10A TO252RFN1L6SLAPIS TechnologyRFN1L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDSRFN10T2D FF67LAPIS TechnologyRFN10BP3SLAPIS TechnologyRFN1L7SLAPIS TechnologyRFN1L6SFJLAPIS TechnologyRFN10NS3SLAPIS TechnologyRFN10NS3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 10A LPDSRFN10T2DRohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FNRFN1L7SFJ-TE25LAPIS TechnologyRFN12TJ6SROHM1RFN1L7S-TE25LAPIS TechnologyRFN1L6S-TE25LAPIS TechnologyRFN10B3S TLLAPIS TechnologyRFN10B3SLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที