ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN2L6STE25
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN2L6STE25 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN2L6STE25
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 1.5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDS | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN2L6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN2L6STE25
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN2L6STE25 | RFN2L4STE25 | RFN3BGE6STL | RFN5B6STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 30 ns | 30 ns | 50 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDS | PMDS | TO-252 | CPD |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 600 V | 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | 1.5A | 3A | 5A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 1.5 A | 1.2 V @ 1.5 A | 1.55 V @ 3 A | 1.55 V @ 5 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN2L6 | RFN2L4 | RFN3B | RFN5B |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
RFN2L4SFJ-TE25LAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFN2L4S-TE25LAPIS TechnologyRFN25TM4SWLAPIS TechnologyRFN2L4STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDSRFN20TJ6SLAPIS TechnologyRFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN5B3SLAPIS Technology
RFN2LAM6STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTMRFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN30TS6SGLAPIS TechnologyRFN25TM4SW FF65LAPIS TechnologyRFN20TF6SC9Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFMRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPDRFN2L4SLAPIS TechnologyRFN2L6S-TE25LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที