ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN5B2STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN5B2STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN5B2STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 980 mV @ 5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | CPD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN5B2STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN5B2STL | RFNL10TJ6SGC9 | RFN2L6STE25 | RFN5B6STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 980 mV @ 5 A | 1.3 V @ 10 A | 1.55 V @ 1.5 A | 1.55 V @ 5 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | CPD | TO-220ACFP | PMDS | CPD |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 | DO-214AC, SMA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 150 ns | 35 ns | 50 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | 10A | 1.5A | 5A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFN5B2STL PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFN5B2STL - Rohm Semiconductor
RFNL10TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 10A TO220ACFPRFN5B3SLAPIS TechnologyRFN5BM3S FHHTLLAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFNL10TJ6SLAPIS TechnologyRFNL10BM6STLLAPIS TechnologyRFN2L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDSRFN30TS6SGLAPIS TechnologyRFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN2L4STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDS
RFND4-31GFMITELRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252
RFN2LAM6STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTMRFN5BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 5A TO252RFN2L6S-TE25LAPIS TechnologyRFN5BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที