ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN3BGE6STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN3BGE6STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN3BGE6STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN3B |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN3BGE6STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN3BGE6STL | RFN5B2STL | RFN2L4STE25 | RFN2LAM6STFTR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | CPD | PMDS | PMDTM |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 25 ns | 30 ns | 35 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | - | 400 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN3B | - | RFN2L4 | RFN2LAM6 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 3 A | 980 mV @ 5 A | 1.2 V @ 1.5 A | 1.55 V @ 1.5 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 5A | 1.5A | 1.5A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AC, SMA | SOD-128 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 200 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 600 V |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
RFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPDRFN2L4STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDS
RFND4-31GFMITEL
RFN2L6S-TE25LAPIS TechnologyRFN2L4SFJ-TE25LAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFN30TS6SGLAPIS TechnologyRFN2LAM6STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTMRFN5BM3S FHHTLLAPIS TechnologyRFN2L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
RFN5BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 5A TO252RFN5B3SLAPIS TechnologyRFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN5BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252RFN2L4SLAPIS TechnologyRFN2L4S-TE25LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที