ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN2LAM6STFTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN2LAM6STFTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN2LAM6STFTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 1.5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDTM | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-128 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN2LAM6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN2LAM6STFTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN2LAM6STFTR | RFN3BGE6STL | RFN2L4STE25 | RFN5B2STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V | 10 µA @ 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN2LAM6 | RFN3B | RFN2L4 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDTM | TO-252 | PMDS | CPD |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 30 ns | 30 ns | 25 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 400 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-128 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AC, SMA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 1.5 A | 1.55 V @ 3 A | 1.2 V @ 1.5 A | 980 mV @ 5 A |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | 3A | 1.5A | 5A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RFN25TM4SW FF65LAPIS TechnologyRFN2L4SFJ-TE25LAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN2L4STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDSRFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPDRFN2L4SLAPIS TechnologyRFN2L6S-TE25LAPIS TechnologyRFN20TJ6SLAPIS Technology
RFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN5B3SLAPIS TechnologyRFN2L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDSRFN2L4S-TE25LAPIS TechnologyRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN5BM3S FHHTLLAPIS TechnologyRFN25TM4SWLAPIS TechnologyRFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN30TS6SGLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที