ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRE02VS4SGTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRE02VS4SGTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRE02VS4SGTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2S | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRE02VS4SGTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRE02VS4SGTR | NRVTSAF5100ET3G | RRE02VSM4STR | 1N4454 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | onsemi | Rohm Semiconductor | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 54.4pF @ 100V, 1MHz | - | 4pF @ 0V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 100 V | 400 V | 50 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 690 mV @ 5 A | 1.1 V @ 200 mA | 1 V @ 10 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | 29 µA @ 100 V | 1 µA @ 400 V | 100 nA @ 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | DO-221AC, SMA Flat Leads | 2-SMD, Flat Lead | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 175°C | 150°C (Max) | 175°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2S | SMA-FL | TUMD2SM | DO-35 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 5A | 200mA | 200mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 | - | RRE02 | 1N4454 |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
NRVTSAF5100ET3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A SMA-FLRRE07VS4SFHTRLAPIS TechnologyRRE02VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 200MA TUMD2SM1N4454onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35RRE04EA4DLAPIS TechnologyRRE02VS4STRLAPIS TechnologyRRE02VS6SLAPIS TechnologyRRE07VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 700MA TUMD2SMRRE02VS6SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2SRRE02VS4SLAPIS Technology
VSKE320-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 800V 320A MAGNAPAK
SD101CWSYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single SOD
1N2135RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
CSD10060ACree WolfspeedDIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO220RRE07VS4SGTRLAPIS Technology
V10P10-M3/87AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277ARRE07VS4SLAPIS TechnologyRRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที