ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRE02VSM4STR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRE02VSM4STR | BAV21W-G3-08 | 1N3889 | NTE5896 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | NTE Electronics, Inc |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 200 V | 50 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 175°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | 100 nA @ 150 V | 25 µA @ 50 V | 12 mA @ 200 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 1.5pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 250mA | 12A | 16A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1 V @ 100 mA | 1.4 V @ 12 A | 1.23 V @ 50 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 | BAV21 | 1N3889 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | SOD-123 | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | SOD-123 | DO-4 | DO-4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RRE02VSM4STR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RRE02VSM4STR - Rohm Semiconductor
RRE02VS4STRLAPIS TechnologyBAV21W-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123RRE02VS4SLAPIS TechnologyRRE04EA4DLAPIS Technology1N3889GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 12A DO4NTE5896NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 16A DO4
US1AFAonsemiDIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FA
SL23HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
UES801RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5
RRE02VS6SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2SRRE02VS4SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2SRRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SMRRE07VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 700MA TUMD2SM
MURS320T3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A SMC
DL4148-TPMicro Commercial CoDIODE GP 75V 150MA MINI MELFRRE02VS6SLAPIS Technology
SK28-LTPMicro Commercial CoDIODE SCHOT 80V 2A DO214AA HSMBRRE07VS4SLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที