ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRE02VSM4STR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRE02VSM4STR | VS-10MQ100NTRPBF | RRE02VS4SGTR | 1N4052R |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rohm Semiconductor | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 100 V | 400 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -65°C ~ 190°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | 100 µA @ 100 V | 1 µA @ 400 V | 75 µA @ 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 38pF @ 10V, 1MHz | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Box |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 1A | 200mA | 275A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 780 mV @ 1 A | 1.1 V @ 200 mA | 1.3 V @ 300 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 | 10MQ100 | RRE02 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | DO-214AC, SMA | 2-SMD, Flat Lead | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | DO-214AC (SMA) | TUMD2S | DO-9 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RRE02VSM4STR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RRE02VSM4STR - Rohm Semiconductor
VS-10MQ100NTRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214ACRRE02VS4SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S1N4052RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 275A DO91N3271Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 275A DO9
RRE07VS4SLAPIS TechnologyRRE02VS6SLAPIS TechnologyRRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SMRRE07VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 700MA TUMD2SMRRE02VS4STRLAPIS TechnologyRRE02VS6SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2SRRE07VS4SFHTRLAPIS Technology
STPS2L40AFSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 2A SMAFLAT
NTS260SFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FLRRE02VS4SLAPIS TechnologyRRE07VS4SGTRLAPIS Technology
MBRM120LT1onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITERRE04EA4DLAPIS Technology
ES3JB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A SMB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที