ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRE07VSM4STR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRE07VSM4STR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRE07VSM4STR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 700 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 700mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE07 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRE07VSM4STR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRE07VSM4STR | 1N1202RA | RRE02VS6SGTR | RRE02VS4SGTR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Solid State Inc. | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 200 V | 600 V | 400 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | DO-4 | TUMD2S | TUMD2S |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | 10 µA @ 200 V | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 200°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 700 mA | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 700mA | 12A | 200mA | 200mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | DO-203AA, DO-4, Stud | 2-SMD, Flat Lead | 2-SMD, Flat Lead |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE07 | - | RRE02 | RRE02 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RRE07VSM4STR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RRE07VSM4STR - Rohm Semiconductor
1N1202RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4RRE02VS6SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2SRRE02VS4SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
RRE07VS4SGTRLAPIS TechnologyRRE04EA4DLAPIS Technology1N1583RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4RRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SM
VS-30BQ015-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 15V 3A DO214ABRRE02VS6SLAPIS TechnologyRRE02VS4STRLAPIS TechnologyRRE07VS4SLAPIS Technology
CUS10S30,H3FToshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
1N2273Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO5RRE02VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
FR157GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15RRE07VS4SFHTRLAPIS Technology
12TQ045STRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 15A TO263ABRRE02VS4SLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที