ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRE02VS6SGTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRE02VS6SGTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRE02VS6SGTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2S | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRE02VS6SGTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRE02VS6SGTR | PMEG100V060ELPDZ | RRE02VSM4STR | RRE02VS4SGTR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Nexperia USA Inc. | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2S | CFP15 | TUMD2SM | TUMD2S |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 6A | 200mA | 200mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 100 V | 400 V | 400 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | TO-277, 3-PowerDFN | 2-SMD, Flat Lead | 2-SMD, Flat Lead |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 | PMEG100 | RRE02 | RRE02 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 175°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 450 nA @ 100 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 400 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 200pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 840 mV @ 6 A | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA |
PMEG100V060ELPDZNexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 6A CFP15RRE02VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 200MA TUMD2SMRRE02VS4SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2SRRE07VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 700MA TUMD2SMRRE04EA4DLAPIS TechnologyRRE02VS4STRLAPIS TechnologyRRE02VS4SLAPIS Technology
1N5819Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41
CD216A-B120LLFBourns Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO216AARRE02VS6SLAPIS TechnologyRRE07VS4SGTRLAPIS TechnologyRRE07VS4SLAPIS Technology
FESB16CT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 16A TO263ABRRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SM
RB058LAM100TFTRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 3A PMDTM
V10P45-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277ARRE07VS4SFHTRLAPIS Technology
ES2DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที