ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRE02VS6SGTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRE02VS6SGTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRE02VS6SGTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2S | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRE02VS6SGTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRE02VS6SGTR | RRE02VSM4STR | RRE07VSM4STR | VS-T70HFL10S05 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2S | TUMD2SM | TUMD2SM | D-55 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 700mA | 70A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 400 V | 100 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | 2-SMD, Flat Lead | 2-SMD, Flat Lead | D-55 T-Module |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRE02 | RRE02 | RRE07 | T70 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 400 V | 100 µA @ 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 700 mA | - |
RRE02VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 200MA TUMD2SMRRE02VS4STRLAPIS TechnologyRRE02VS6SLAPIS TechnologyRRE07VSM4STRRohm SemiconductorDIODE GP 400V 700MA TUMD2SMVS-T70HFL10S05Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 70A D-55RRE02VS4SLAPIS Technology
BAV20WYangjie TechnologyDIODE GEN PURP 150V 200MA SOD123
1N1581RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4RRE07VS4SLAPIS Technology
MURS360S-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA1N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35RRE02VS4SGTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
SB560A-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201ADRRE04EA4DLAPIS TechnologyRRE02VSM6STRRohm SemiconductorDIODE GP 600V 200MA TUMD2SM30WQ06FNVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK
BAS21HT1onsemiDIODE SWITCH 200MA 250V SOD323
US1GWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที