ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCS210KGC17
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SCS210KGC17 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SCS210KGC17
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACFP | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 550pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SCS210KGC17
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCS210KGC17 | SCS212AJHRTLL | SCS212AMC | SCS215AGC |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 10 A | 1.55 V @ 12 A | 1.55 V @ 12 A | 1.55 V @ 15 A |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 550pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz | 438pF @ 1V, 1MHz | 550pF @ 1V, 1MHz |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 12A | 12A | 15A |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 1200 V | 240 µA @ 600 V | 240 µA @ 600 V | 300 µA @ 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ACFP | TO-263AB | TO-220FM | TO-220ACFP |
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS210KE2HRLAPIS TechnologySCS210AM CLAPIS TechnologySCS212AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMSCS215AGCRohm SemiconductorDIODE SIC 650V 15A TO220ACFPSCS210AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO263ABSCS210KE2CRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247SCS210AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACSCS212AGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS210AMLAPIS TechnologySCS210KE2LAPIS TechnologySCS210KGLAPIS TechnologySCS215AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247SCS212AGHRCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACSCS210KGCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACSCS210AMCRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMSCS212AJTLLRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABSCS212AGLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที