ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4446
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N4446 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N4446
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 20 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N4446
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4446 | 1N4448 | 1N4446 | 1N4446TR |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | - | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -65°C ~ 150°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 75 V | 100 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bag | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | 25 nA @ 20 V | 25 nA @ 20 V | 25 nA @ 20 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 20 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 20 mA | 1 V @ 20 mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
1N4448Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4446NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4437FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4404NJS1N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4438FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4438FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4446onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที