ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4446
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4446 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4446
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 20 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4446 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4446
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4446 | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diotec Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 150mA | 200mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 20 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4446 | - | 1N4448 | 1N4448 |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 75 V | 100 V | 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4446 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4446 - onsemi
1N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4438FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4448Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4404NJS1N4448 T5CJ1N4448Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI1N4438FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4437FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N4446NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที