ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3350RB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3350RB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3350RB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 200 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 50 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 100 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 152 V |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3350RB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3350RB | 1N3350B | 1N3350B | 1N3350RA |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Naina Semiconductor Ltd. | Solid State Inc. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 152 V | 10 µA @ 152 V | 10 µA @ 152 V | 5 µA @ 144 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 10 A | 1.5 V @ 10 A | - | 1.5 V @ 10 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 100 Ohms | 100 Ohms | 100 Ohms | 100 Ohms |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±10% |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 50 W | 50 W | 50 W | 50 W |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Box | Box |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3350RB PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3350RB - Solid State Inc.
1N3491Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 25A PRESS FIT1N3350BMicrochip TechnologyDIODE ZENER 200V 50W DO51N3492Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3493Solid State Inc.DIODE GP 200V 25A PRESS FIT1N3491Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3350BNaina Semiconductor Ltd.ZENER DIODE 200V 50W DO-51N3350RASolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3350Solid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3350RSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3493RSolid State Inc.DIODE GP REV 200V 25A PRESS FIT1N3350ASolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3350RBMicrochip TechnologyDIODE ZENER 200V 50W DO51N3492RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3350BSolid State Inc.DIODE ZENER 200V 50W DO51N3492RSolid State Inc.DIODE GP REV 100V 25A PRESS FIT1N3350AMicrochip TechnologyDIODE ZENER 200V 50W DO51N3492Solid State Inc.DIODE GP 100V 25A PRESS FIT1N3493Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที